国网河北电力编制绿色低碳采购目录

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图2含晶界的两类HDP的能带结构a)具有原Σ5(310)GB的Cs2AgInCl6的能带结构，河北其中带隙内的深能级缺陷态[a图中的S1,S2和S3态以及c图中的T1和T2态]以粗线突出显示，河北而体相态由阴影区域突出显示(下同)。电力低碳e)具有原Σ5(310)GB的Cs2AgBiCl6能带示意图。

图6第II类HDP中不利晶界处缺陷(及复合物)的形成a)Cli掺入后，编制具有Σ5(310)GB的Cs2AgBiCl6的能带结构，而体相态由阴影区域突出显示。b)InAg+Cli掺入后，绿色具有Σ5(310)GB的Cs2AgInCl6的能带结构。与其他传统半导体类似，采购HDP的器件性能可能受其有害缺陷的限制，包括晶体内部(GI)和晶界(GB)缺陷。

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图8Cs2AgBiCl6体相中本征缺陷物理研究a-c)在ΔμAg=0eV、河北-0.4eV和-0.8eV的条件下，河北在优选化学势区域(图7中标注)中Cs2AgBiCl6体相中的缺陷物理分为三种情况，表示为case1、case2和case3，相应的化学势点分别用红色、绿色和蓝色代表。

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